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方案

反激式開(kāi)關(guān)電源EMI設(shè)計(jì)與整改(3)




前兩期文章先后介紹了EMI基礎(chǔ)知識(shí)及傳導(dǎo)定量設(shè)計(jì)方法,受到了工程師們的高度關(guān)注。
本期,芯朋微技術(shù)團(tuán)隊(duì)為大家分享反激式開(kāi)關(guān)電源的輻射定性分析方法及典型整改案例。





01

輻射定性分析方法


麥克斯韋方程組揭示了電場(chǎng)、磁場(chǎng)的來(lái)源及關(guān)系,并預(yù)言了電磁波的存在,奠定了經(jīng)典電磁場(chǎng)理論。在此基礎(chǔ)上,引入“矢量勢(shì)”的概念,并增加庫(kù)倫規(guī)范和洛侖茲規(guī)范限定條件,進(jìn)而得到小環(huán)天線輻射場(chǎng)的磁場(chǎng)和電場(chǎng)強(qiáng)度表達(dá)式:

其中,S為環(huán)形面積,r為輻射源到輻射測(cè)試處的距離,λ為波長(zhǎng),I為環(huán)路中的電流大小,Z為波阻抗(常數(shù),120π),θ為輻射方向與測(cè)試位置的夾角。
上式可定性指導(dǎo)反激式開(kāi)關(guān)電源的輻射整改:
  1. 環(huán)路面積越小,輻射量越?。?/span>
  2. 負(fù)載電流越小,輻射量越小;
  3. 測(cè)試距離越遠(yuǎn),輻射量越?。?/span>
  4. 工作頻率越高,輻射量越大;
  5. 垂直方向和水平方向測(cè)試到的輻射強(qiáng)度不同。




02

輻射整改案例




案例一  Y電容回路影響


實(shí)驗(yàn)結(jié)果:基于PN8386P+PN8306H的5V3.4A充電器,不同Y電容回路,垂直方向輻射相差6dB以上。

原因分析:Y電容將流過(guò)變壓器的共模電流旁路為差模電流以改善EMI,該回路為輻射干擾源,回路面積越小EMI越好。


基于PN8386P+PN8306H的5V3.4A充電器PCB布線


CY1回路輻射測(cè)試結(jié)果(CY1=1nF,移除CY2)


CY2回路輻射測(cè)試結(jié)果(CY2=1nF,移除CY1)




案例二 RCD回路影響 


實(shí)驗(yàn)結(jié)果:基于PN8235+PN8306H的5V3.4A充電器,不同RCD吸收回路布線,垂直方向輻射相差10dB以上。

原因分析:主開(kāi)關(guān)管漏極為強(qiáng)干擾源, RCD吸收用以減弱此干擾量,RCD越靠近漏極輻射量則越小。


RCD吸收遠(yuǎn)離主開(kāi)關(guān)管漏極PCB布線及輻射測(cè)試結(jié)果


RCD吸收靠近主開(kāi)關(guān)管漏極PCB布線及輻射測(cè)試結(jié)果






案例三  di/dt影響


實(shí)驗(yàn)結(jié)果:基于PN8160M的12V1.5A適配器,不同型號(hào)輸出整流二極管,垂直方向輻射相差3dB以上。

原因分析:在電流連續(xù)模式下,輸出二極管反向恢復(fù)特性不同,di/dt引起的輻射能量不同。

基于PN8160M的12V1.5A適配器PCB布線


DO201-AD封裝5T100輻射測(cè)試結(jié)果


TO277封裝的10V80輻射測(cè)試結(jié)果





案例四 dv/dt影響 


實(shí)驗(yàn)結(jié)果:基于PN8680M的12V1A適配器,主開(kāi)關(guān)管是否并聯(lián)Cds電容,垂直方向輻射相差3dB以上。

原因分析:Cds可減緩主開(kāi)關(guān)管Vds的dv/dt,減小輻射量。


基于PN8680M的12V1A適配器PCB布線


無(wú)Cds電容輻射測(cè)試結(jié)果


有Cds(33pF)電容輻射測(cè)試結(jié)果




案例五  輸出工模電感影響


實(shí)驗(yàn)結(jié)果:基于PN8160H的12V2A適配器,是否帶輸出共模電感,垂直方向輻射相差6dB以上。

原因分析:輸出共模電感可有效阻礙共模干擾電流通過(guò)輸出線向外輻射能量。


基于PN8160H的12V2A適配器PCB布線


無(wú)輸出共模電感輻射測(cè)試結(jié)果


有輸出共模電感輻射測(cè)試結(jié)果



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