反激式開(kāi)關(guān)電源EMI設(shè)計(jì)與整改(3)
01
輻射定性分析方法
環(huán)路面積越小,輻射量越?。?/span> 負(fù)載電流越小,輻射量越小; 測(cè)試距離越遠(yuǎn),輻射量越?。?/span> 工作頻率越高,輻射量越大; 垂直方向和水平方向測(cè)試到的輻射強(qiáng)度不同。
02
輻射整改案例
案例一 Y電容回路影響
基于PN8386P+PN8306H的5V3.4A充電器PCB布線
CY1回路輻射測(cè)試結(jié)果(CY1=1nF,移除CY2)
CY2回路輻射測(cè)試結(jié)果(CY2=1nF,移除CY1)
案例二 RCD回路影響
RCD吸收遠(yuǎn)離主開(kāi)關(guān)管漏極PCB布線及輻射測(cè)試結(jié)果
RCD吸收靠近主開(kāi)關(guān)管漏極PCB布線及輻射測(cè)試結(jié)果
案例三 di/dt影響
基于PN8160M的12V1.5A適配器PCB布線
DO201-AD封裝5T100輻射測(cè)試結(jié)果
TO277封裝的10V80輻射測(cè)試結(jié)果
案例四 dv/dt影響
基于PN8680M的12V1A適配器PCB布線
無(wú)Cds電容輻射測(cè)試結(jié)果
有Cds(33pF)電容輻射測(cè)試結(jié)果
案例五 輸出工模電感影響
基于PN8160H的12V2A適配器PCB布線
無(wú)輸出共模電感輻射測(cè)試結(jié)果
有輸出共模電感輻射測(cè)試結(jié)果