【Qi2無線充】全球至小2×2mm高集成DrMOS！
高集成度：
集成4顆功率NMOS
內(nèi)置4路Gate driver
集成2路自舉升壓PMOS
集成1路5V50mA LDO
智能：
自適應(yīng)死區(qū)
欠壓保護(hù)
過溫保護(hù)
過流保護(hù)
VDD、OUT1、OUT2耐壓大于20V，支持3V~12V寬輸入電壓
內(nèi)置4顆功率NMOS，采用QFN3*3/QFN2*2封裝，支持15W無線充電
自適應(yīng)死區(qū)防止橋臂直通，OUT電壓尖峰應(yīng)力小，EMC性能卓越
內(nèi)置自舉PMOS，BST電容可小至10nF
內(nèi)置5V50mA LDO，簡化MCU供電
單片全集成，過溫、欠壓過流保護(hù)更精準(zhǔn)，超高可靠性
亮點(diǎn)1：高集成度
PN7727集單芯片集成4顆功率NMOS、4路驅(qū)動、2顆自舉升壓PMOS、1路LDO，實現(xiàn)QFN2*2或QFN3*3小體積封裝。
亮點(diǎn)2：小體積封裝
單芯片設(shè)計支持QFN2*2、QFN3*3封裝，封裝內(nèi)阻低、散熱能力高、封裝寄生小，溫升低、電壓應(yīng)力小！
亮點(diǎn)3：自適應(yīng)死區(qū)
基于高速電壓采樣電路，實時監(jiān)控四個功率管的VGS電壓，通過“互鎖”的邏輯設(shè)計，確保半橋上下管不會直通，電壓應(yīng)力小，EMC性能卓越！
CH1:OUT1; CH2:OUT2
9V輸入&15W輸出：死區(qū)時間為40ns
亮點(diǎn)4：逐周期OCP限制
通過電流采樣管鏡像監(jiān)控功率MOS電流，持續(xù)多次大于OCP限制點(diǎn)（9A)，關(guān)閉驅(qū)動芯片，防止芯片損壞，更安全可靠！
CH1:OUT1；CH2:OUT2
CH3:PWM1；CH4:IOUT1
亮點(diǎn)5：內(nèi)置LDO及自舉PMOS
集成5V50mA LDO，電壓調(diào)整率<7%，負(fù)載調(diào)整率<10%，為MCU供電。
自舉高壓PMOS：高頻下?lián)p耗顯著低于自舉二極管電路，自舉電容可低于10nF。
CH1:OUT1；CH2:OUT2
CH3:VCC；CH4:VCBS1
一個開關(guān)周期，VCBS1與VCC最大差僅0.26V
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