新一代！內置高壓啟動/過欠壓保護的高集成GaN快充系列
本期，芯朋微技術團隊為各位粉絲分享新一代20-65W GaN快充方案，該方案集當前行業(yè)最新控制技術、器件技術、功率封裝技術之大成，進一步優(yōu)化快充方案的待機功耗、市電保護、功率密度、轉換效率、輸出電壓紋波等關鍵指標，實現技術降本！
芯片介紹
? 待機功耗低：內置800V高壓啟動電路，節(jié)省2顆啟動電阻，待機功耗小于50mW
? 市電保護準：通過HV腳監(jiān)控市電，實現精準市電欠壓+過壓雙重保護，為GaN器件安全運行保駕護航
? 功率密度高：基于QR-Lock控制技術，最高工作頻率200kHz以上， 顯著減小變壓器及輸出電容體積
? 芯片溫升低： 采用SOP7/PP、SOP10/PP封裝，封裝底部可大面積敷銅散熱，顯著降低芯片溫升
? 轉換效率高： QR-Lock、PFM、Burst 三種混合工作模式，顯著提升全負載段轉換效率，輕松滿足CoC V5 Tier 2
? 輸出電壓紋波低：得益于QR-Lock控制技術，寬輸出電壓下開環(huán)傳遞函數的相位裕量充足，輸出電壓紋波較傳統(tǒng)技術降低20mV以上
方案亮點
高壓啟動技術
PN8782/3集成高壓啟動管M3，芯片快速啟動后關閉M3，實現低待機功耗。
30W Demo待機實測數據如下：
QR-Lock技術
PN8782/3基于QR-Lock控制，可鎖定6個谷底，顯著降低功率GaN開通損耗，支持200kHz以上工作頻率。
30W Demo SW工作波形如下：
鎖6谷底工作波形
鎖1谷底工作波形
相同系統(tǒng)參數，QR-Lock控制比傳統(tǒng)QR方案，輸出電壓紋波降低20mV以上。
QR-Lock控制
傳統(tǒng)QR控制
混合工作模式
QR-Lock、PFM、Burst 三種混合工作模式，顯著提升全負載段轉換效率。
30W Demo的效率實測數據如下：
優(yōu)異全面的保護功能
芯片提供了極為全面和優(yōu)異的智能化保護功能，包括輸入過壓保護(LOVP)、輸入欠壓保護(BNO)、輸出過壓保護(OVP)、VDD過壓保護(VDD OVP)、逐周期過流保護(OCP)、輸出短路保護(SCP)、DMG電阻短路保護、次級整流管短路保護(DSP)、CS電阻開路保護、輸出過載保護(OLP)和過溫保護(OTP) ，可輕松應對各種應用場景下可能發(fā)生的電源故障！
HV腳采樣電壓在芯片內部經過分壓后與BNO和LOVP基準比較，實現市電欠壓和過壓保護。
市電BNO保護，可避免市電過低損壞整流電路；
BNI: 71.7Vac
BNO: 63.6Vac
市電OVP保護，可避免市電過高損壞輸入電解電容及GaN功率器件。
OVP: 364Vac
OVP恢復: 335Vac
應用要點
① 最大峰值電流：為提高芯片可靠性，建議PN8783EB-A1的最大峰值電流不超過3.5A， PN8783EB-B1的最大峰值電流不超過2.5A，PN8782SX-A1最大峰值電流不超過1.9A，PN8782SX-B1最大峰值電流不超過1.3A；
② 輸出電壓采樣：C2和R3應放置在距離DMG腳最近的地方提高輸出電壓采樣準確性，C2推薦值10pF；
③ 芯片供電： VDD電容EC1應放置在距離VDD引腳和GND引腳最近的地方，EC1 推薦值10uF；供電二極管串聯(lián)電阻R5推薦值3.3Ω，提高系統(tǒng)安規(guī)能力。
如需申請樣品，請識別二維碼填寫信息，將有專業(yè)人員聯(lián)系您！
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