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方案

【工業(yè)級(jí)輔源系列】800V高雪崩SOP12寬爬電芯片,完美替代ICE2Qxx



QR控制模式,顯著減低開關(guān)損耗,支持125kHz工作頻率,減小變壓器及輸出電容體積;

QR/PFM/Burst多工作模式,提高全負(fù)載段工作效率;

SOP12封裝,高低壓引腳爬電距離大于2mm,更高安全性;

智能保護(hù):輸出過壓保護(hù)、次級(jí)整流管短路保護(hù)、采樣電阻短路保護(hù)、過溫保護(hù)、過負(fù)載保護(hù)等,可輕松應(yīng)對(duì)各種應(yīng)用場景下可能發(fā)生的電源故障!




該系列芯片基于準(zhǔn)諧振控制,顯著降低功率MOSET開通損耗和次邊整流管的反向恢復(fù)損耗,因而支持125kHz高頻化工作。


MOSFET開通損耗Pon:

開關(guān)頻率fs

Vg:母線電壓;n:變壓器原副邊匝比;

Vo:輸出電壓;N:谷底數(shù);

Lp:變壓器勵(lì)磁電感;

Coss:開關(guān)管漏源兩端的等效電容

Ipmax:變壓器原邊峰值電流



該系列芯片集成800V智能功率器件,包含功率開關(guān)管Q1、電流采樣管Q2和高壓啟動(dòng)模塊,使得電源系統(tǒng)的抗雷擊沖擊能力更強(qiáng)、待機(jī)功耗更低、異常保護(hù)更敏捷。




芯片根據(jù)FB電壓工作于QR、PFM、Burst-mode三種模式,通過DMG檢測變壓器消磁結(jié)束后的諧振谷底信號(hào),實(shí)現(xiàn)谷底開通。


重載時(shí),芯片工作在第一諧振谷底;負(fù)載減輕時(shí),芯片會(huì)逐步降低工作頻率至25kHz;極輕載時(shí),芯片進(jìn)入間歇工作模式,從而實(shí)現(xiàn)全負(fù)載段的效率更佳!




芯片提供了極為全面和優(yōu)異的智能化保護(hù)功能,包括過溫保護(hù)(OTP)、輸出過壓保護(hù)(Vout OVP)、VDD過壓保護(hù)(VDD OVP)、逐周期過流保護(hù)(OCP)、輸出短路保護(hù)(OSCP)、次級(jí)整流管短路保護(hù)(DSP)、采樣電阻短路保護(hù)(CSS)和過負(fù)載保護(hù)(OLP),可輕松應(yīng)對(duì)各種應(yīng)用場景下可能發(fā)生的電源故障!




通過工業(yè)級(jí)JEDEC可靠性標(biāo)準(zhǔn)測試,包括HTOL、ESD、Latch-up、TC等11個(gè)測試項(xiàng)目。


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